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J-GLOBAL ID：200902065729670509   整理番号：91A0443196

ウエハボンディングによるシリコン-オン-インシュレータ 総説

Silicon-on-insulator by wafer bonding: A review.
著者 (1件)：
MASZARA W P

MASZARA W P について

(Allied-Signal Aerospace Co., Maryland)

Allied-Signal Aerospace Co., Maryland について


資料名：
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

Journal of the Electrochemical Society について


巻： 138  号： 1  ページ： 341-347  発行年： 1991年01月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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ウエハボンディング技術の各種アプローチを総説した。ウエハ薄化...
シソーラス用語：
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ウエハ【IC】

ウエハ【IC】 について

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ウエハ薄化技術

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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シリコン

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インシュレータ

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総説

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