TFT及び非常に低い圧力の化学蒸着(VLPCVD)により作製した多結晶シリコンの物理的特性

文献

J-GLOBAL ID：200902066210213905 整理番号：92A0167143

TFT and Physical Properties of Poly-Crystalline Silicon Prepared by Very Low Pressure Chemical Vapour Deposition (VLPCVD).

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=92A0167143&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0167143&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 30 号： 12B ページ： 3733-3740 発行年： 1991年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

蒸着したままの多結晶Si膜質に及ぼすシラン分圧P(SiH<s...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0167143&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 , トランジスタ

, , , ,

前のページに戻る