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J-GLOBAL ID:200902066210213905   整理番号:92A0167143

TFT及び非常に低い圧力の化学蒸着(VLPCVD)により作製した多結晶シリコンの物理的特性

TFT and Physical Properties of Poly-Crystalline Silicon Prepared by Very Low Pressure Chemical Vapour Deposition (VLPCVD).
著者 (4件):
資料名:
巻: 30  号: 12B  ページ: 3733-3740  発行年: 1991年12月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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蒸着したままの多結晶Si膜質に及ぼすシラン分圧P(SiH<s...
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  トランジスタ 
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