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J-GLOBAL ID：200902068235543554   整理番号：91A0232996

0.5μm以下のフォトリソグラフィー用の拡散促進型シリル化レジスト(DESIRE)処理での気相シリル化

Gas phase silylation in the diffusion enhanced silylated resist process for application to sub-0.5μm optical lithography.

著者 (5件)： BAIK K-H (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  VAN DEN HOVE L (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  GOETHALS A M (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  OP DE BEECK M (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  ROLAND B (UCB Electronics, Haarsrode, BEL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 8  号： 6  ページ： 1481-1487  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来から使われているヘキサメチルジシラザン(HMDS)や代替...

シソーラス用語： フォトレジスト ,...
準シソーラス用語： DESIRE

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトリソグラフィー ,  拡散 ,  促進 ,  シリル化 ,  レジスト ,  気相