GaN/α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ヘテロ構造における熱歪の緩和過程と歪のないGaNの固有格子定数の決定

DETCHPROHM T; HIRAMATSU K; ITOH K; AKASAKI I

文献

J-GLOBAL ID：200902069149669770 整理番号：92A0807076

GaN/α-Al₂O₃ヘテロ構造における熱歪の緩和過程と歪のないGaNの固有格子定数の決定

Relaxation Process of the Thermal Strain in the GaN/α-Al₂O₃ Heterostructure and Determination of the Intrinsic Lattice Constants of GaN Free from the Strain.

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巻： 31 号： 10B ページ： L1454-1456 発行年： 1992年10月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

GaN(0001)膜をサファイア(0001)基板上にMOVP...

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半導体薄膜

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GaN/α-Al2O3ヘテロ構造における熱歪の緩和過程と歪のないGaNの固有格子定数の決定

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