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J-GLOBAL ID：200902069707428190   整理番号：93A0161081

C₃H₈-SiH₄-H₂混合ガスからグロー放電によって堆積した水素化炭化けい素の構造的および光学的性質

Structural and optical properties of hydrogenated amorphous silicon carbide deposited by glow discharge from C₃H₈-SiH₄-H₂ mixture.

著者 (3件)： PARK J-H (Korea Advanced Inst. Science and Technology, Taejon, KOR) ,  KWON H-S (Korea Advanced Inst. Science and Technology, Taejon, KOR) ,  LEE J-Y (Korea Advanced Inst. Science and Technology, Taejon, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 72  号： 11  ページ： 5246-5252  発行年： 1992年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化水素ガスの種類が水素化非晶質炭化けい素(a-SiC:H)...

シソーラス用語： 水素 ,...
準シソーラス用語： メタン ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiH4 ,  H2 ,  混合ガス ,  グロー放電 ,  堆積 ,  水素化 ,  炭化けい素 ,  光学的性質