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J-GLOBAL ID:200902070149168230   整理番号:82A0054816

GaAsのイオン注入と低温エピタキシャル再成長

Ion implantation and low-temperature epitaxial regrowth of GaAs.
著者 (4件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 4038-4046  発行年: 1981年06月 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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チャネリングとTEMを用いて,イオン注入GaAs中の損傷の程...
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分類 (2件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体の結晶成長 
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