GaAsのイオン注入と低温エピタキシャル再成長

GRIMALDI M G; PAINE B M; NICOLET M-A; SADANA D K

文献

J-GLOBAL ID：200902070149168230 整理番号：82A0054816

GaAsのイオン注入と低温エピタキシャル再成長

Ion implantation and low-temperature epitaxial regrowth of GaAs.

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資料名：
巻： 52 号： 6 ページ： 4038-4046 発行年： 1981年06月
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

チャネリングとTEMを用いて,イオン注入GaAs中の損傷の程...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の結晶成長

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