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J-GLOBAL ID：200902070152081596   整理番号：85A0234247

CF₄/H₂反応性イオンエッチングによるシリコンの汚染と表面近傍損傷に関する研究

Study of silicon contamination and near-surface damage caused by CF₄/H₂ reactive ion etching.

著者 (4件)： OEHRLEIN G S (IBM, New York) ,  TROMP R M (IBM, New York) ,  LEE Y H (IBM, New York) ,  PETRILLO E J (IBM, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 45  号： 4  ページ： 420-422  発行年： 1984年08月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CF₄/40%H<sub>2</sub...

シソーラス用語： エッチング ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： H2 ,  反応性イオンエッチング ,  シリコン ,  汚染 ,  近傍 ,  損傷 ,  研究