p<sup>+</sup>多結晶シリコンゲート型PMOSデバイスへのほう素浸透効効果

PFIESTER J R; BAKER F K; MELE T C; TSENG H-H; TOBIN P; HAYDEN J D; MILLER J W; GUNDERSON C D; PARRILLO L C

文献

J-GLOBAL ID：200902071852014071 整理番号：90A0639560

p⁺多結晶シリコンゲート型PMOSデバイスへのほう素浸透効効果

The effects of boron penetration on p⁺ polysilicon gated PMOS devices.

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資料名：
巻： 37 号： 8 ページ： 1842-1851 発行年： 1990年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

p⁺ドープ多結晶シリコンゲートを用いた...

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トランジスタ , 固体中の拡散一般

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p+多結晶シリコンゲート型PMOSデバイスへのほう素浸透効効果

p⁺多結晶シリコンゲート型PMOSデバイスへのほう素浸透効効果