Snを多量にドープしたIn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>におけるバンドギャップの広がり

HAMBERG I; GRANQVIST C G; BERGGREN K-F; SERNELIUS B E; ENGSTROEM L

文献

J-GLOBAL ID：200902072301356121 整理番号：84A0495549

Snを多量にドープしたIn₂O₃におけるバンドギャップの広がり

Band-gap widening in heavily Sn-doped In₂O₃.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=84A0495549&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0495549&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 30 号： 6 ページ： 3240-3249 発行年： 1984年09月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

反応性の電子ビーム蒸着により,純粋及びSnドープ半導性In<...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0495549&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

半導体結晶の電子構造

, , ,

前のページに戻る

Snを多量にドープしたIn2O3におけるバンドギャップの広がり

Snを多量にドープしたIn₂O₃におけるバンドギャップの広がり