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J-GLOBAL ID:200902072301356121   整理番号:84A0495549

Snを多量にドープしたIn2O3におけるバンドギャップの広がり

Band-gap widening in heavily Sn-doped In2O3.
著者 (5件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 3240-3249  発行年: 1984年09月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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反応性の電子ビーム蒸着により,純粋及びSnドープ半導性In<...
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半導体結晶の電子構造 
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