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J-GLOBAL ID：200902073588874795   整理番号：87A0275849

照射硬化したJFETデバイスおよびSOI薄膜内で作製したCMOS回路

Radiation-hardened JFET devices and CMOS circuits fabricated in SOI films.

著者 (9件)： TSAUR B-Y (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  SFERRINO V J (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  CHOI H K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  CHEN C K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  MOUNTAIN R W (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  SCHOTT J T (Rome Air Development Center, MA, USA) ,  SHEDD W M (Rome Air Development Center, MA, USA) ,  LAPIERRE D C (Rome Air Development Center, MA, USA) ,  BLANCHARD R (Rome Air Development Center, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 33  号： 6 Pt.1  ページ： 1372-1376  発行年： 1986年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂コーティングした基板上でゾーン...

シソーラス用語： 照射線量 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 照射硬化 ,  JFET ,  SOI ,  薄膜 ,  作製 ,  CMOS回路