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J-GLOBAL ID：200902074098966922   整理番号：90A0206374

1nm以下の直径をもったシリコンチップの形成

Formation of silicon tips with 〈1 nm radius.

著者 (9件)： MARCUS R B (Bellcore, New Jersey) ,  RAVI T S (Bellcore, New Jersey) ,  GMITTER T (Bellcore, New Jersey) ,  CHIN K (New Jersey Inst. Technology, New Jersey) ,  LIU D (New Jersey Inst. Technology, New Jersey) ,  ORVIS W J (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  CIARLO D R (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  HUNT C E (Univ. California, California) ,  TRUJILLO J (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 3  ページ： 236-238  発行年： 1990年01月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空中での微細電子デバイスにおいて普通の電場で電子放出を得る...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 直径 ,  シリコンチップ