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J-GLOBAL ID：200902074602104252   整理番号：89A0211380

ハロゲン輸送原子層エピタクシーにより成長させたIn_1-xGa_xAsの固相の組成

Solid composition of In_1-xGa_xAs grown by the halogen transport atomic layer epitaxy.

著者 (6件)： KOUKITU A (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN) ,  NAKAI H (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN) ,  SAEGUSA A (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI T (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN) ,  NOMURA O (Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN) ,  SEKI H (Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 27  号： 5  ページ： L744-L746  発行年： 1988年05月 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 気相成長 ,...
準シソーラス用語： ALE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハロゲン ,  輸送 ,  原子層エピタクシー ,  成長 ,  固相 ,  組成