LEC法により成長させたシリコンをドープの無転位ひ化ガリウム

文献

J-GLOBAL ID：200902074864547376 整理番号：84A0314448

Dislocation-free silicon-doped gallium arsenide grown by LEC procedure.

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資料名：
巻： 63 号： 2 ページ： 415-418 発行年： 1983年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

シリコンを(1~5)×10¹⁸atom...

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半導体の結晶成長

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