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J-GLOBAL ID：200902076025660941   整理番号：89A0396346

MOSFET劣化の評価の電荷ポンピング効果の解析とその応用

Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation.

著者 (4件)： HEREMANS P (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  WITTERS J (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  MAES H E (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36  号： 7  ページ： 1318-1335  発行年： 1989年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタの劣化の有用な解析方法としての電荷ポンピン...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 電荷ポンピング

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOSFET ,  評価 ,  電荷ポンピング ,  解析 ,  応用