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J-GLOBAL ID：200902076047689420   整理番号：90A0568794

不揮発性メモリ応用のための薄いポリ間誘電体の信頼性研究

Reliability study of thin inter-poly dielectrics for non-volatile memory application.

著者 (8件)： MORI S (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  KANEKO Y (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  ARAI N (TOSHIBA Microelectronics Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHSHIMA Y (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  ARAKI H (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  NARITA K (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  SAKAGAMI E (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIKAWA K (TOSHIBA Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 28th  ページ： 132-144  発行年： 1990年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いポリ酸化物の本質的限界は欠陥密度と端部漏れ電流にある。こ...

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,...

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分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  誘電体 ,  研究