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J-GLOBAL ID：200902076579503430   整理番号：89A0358299

清浄なSi(111)ステップ表面の昇華中の構造変化

Transformations on clean Si(111) stepped surface during sublimation.
著者 (4件)：
LATYSHEV A V

LATYSHEV A V について

(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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ASEEV A L

ASEEV A L について

(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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KRASILNIKOV A B

KRASILNIKOV A B について

(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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STENIN S I

STENIN S I について

(Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Semiconductor Physics, USSR Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について


資料名：
Surface Science  (Surface Science)

Surface Science について


巻： 213  号： 1  ページ： 157-169  発行年： 1989年04月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si(111)ステップ表面を直接通電により加熱し,昇華中の表...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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反射電子顕微鏡

反射電子顕微鏡 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体の表面構造 
(BK15030A)

半導体の表面構造 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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Si

Si について

, 
昇華

昇華 について


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