低温の分子ビームエピタクシーで成長させたGaAsにおけるピコ秒以下のキャリア寿命

GUPTA S; FRANKEL M Y; VALDMANIS J A; WHITAKER J F; MOUROU G A; SMITH F W; CALAWA A R

文献

J-GLOBAL ID：200902076625842644 整理番号：92A0108057

低温の分子ビームエピタクシーで成長させたGaAsにおけるピコ秒以下のキャリア寿命

Subpicosecond carrier lifetime in GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures.

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資料名：
巻： 59 号： 25 ページ： 3276-3278 発行年： 1991年12月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

~200°Cで成長させ,600°CでアニールしたGaAs薄膜のキ...

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光伝導,光起電力

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