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J-GLOBAL ID：200902077364142379   整理番号：89A0616529

ビット並列構造の16kb強透電性不揮発メモリ

A 16kb ferroelectric nonvolatile memory with a bit parallel architecture.
著者 (2件)：
WOMACK R

WOMACK R について

(Krysalis Microelectronics, NM)

Krysalis Microelectronics, NM について

, 
TOLSCH D

TOLSCH D について

(Signetics Corp., NM)

Signetics Corp., NM について


資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference について


巻： 32  ページ： 242-243,351  発行年： 1989年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記は実験的なメモリで,メモリセル当り1トランジスタと1強透...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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不揮発性メモリ

不揮発性メモリ について

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分類 (1件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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ビット

ビット について

, 
不揮発メモリ

不揮発メモリ について


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