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J-GLOBAL ID：200902077371935406   整理番号：93A0332189

重水素アニールした酸化物中の放射線照射後の界面トラップ増大の時間依存性

The Time-Dependence of Post-Irradiation Interface Trap Build-up in Deuterium-Annealed Oxides.
著者 (2件)：
SAKS N S

SAKS N S について

(Naval Research Lab., Washington, D.C.)

Naval Research Lab., Washington, D.C. について

, 
RENDELL R W

RENDELL R W について

(Naval Research Lab., Washington, D.C.)

Naval Research Lab., Washington, D.C. について


資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)

IEEE Transactions on Nuclear Science について


巻： 39  号： 6 Pt 1  ページ： 2220-2229  発行年： 1992年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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照射したMOS素子中の界面トラップN<sub>it</sub...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOS構造

MOS構造 について

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遅れ効果

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分類 (2件)：
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

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,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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重水素

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アニール

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, 
酸化物

酸化物 について

, 
放射線照射

放射線照射 について

, 
界面トラップ

界面トラップ について

, 
時間依存性

時間依存性 について


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