ニッケルを注入した非晶質シリコン薄膜におけるシリサイドの析出とシリコンの結晶化

CAMMARATA R C; THOMPSON C V; HAYZELDEN C; TU K N

文献

J-GLOBAL ID：200902077719030623 整理番号：91A0096150

ニッケルを注入した非晶質シリコン薄膜におけるシリサイドの析出とシリコンの結晶化

Silicide precipitation and silicon crystallization in nickel implanted amorphous silicon thin films.

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巻： 5 号： 10 ページ： 2133-2138 発行年： 1990年10月
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ニッケルイオンを注入した非晶質シリコン薄膜におけるNiSi<...

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半導体薄膜 , 半導体の放射線による構造と物性の変化

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