抵抗素子の半導性BaTiO<sub>3</sub>の正温度係数の特性におよぼすアニールの効果

AL-ALLAK H M; RUSSELL G J; WOODS J

文献

J-GLOBAL ID：200902077748520761 整理番号：88A0218133

抵抗素子の半導性BaTiO₃の正温度係数の特性におよぼすアニールの効果

The effect of annealing on the characteristics of semiconducting BaTiO₃ positive temperature coefficient of resistance devices.

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巻： 20 号： 12 ページ： 1645-1651 発行年： 1987年12月14日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

0.4モル%Hoをドープして半導性にした市販のBaTiO<s...

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半導体結晶の電気伝導

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抵抗素子の半導性BaTiO3の正温度係数の特性におよぼすアニールの効果

抵抗素子の半導性BaTiO₃の正温度係数の特性におよぼすアニールの効果