MOVPE法で成長させたGaドープCdTeの電子特性

EKAWA M; YASUDA K; FERID T; SAJI M; TANAKA A

文献

J-GLOBAL ID：200902078517076695 整理番号：93A0028649

MOVPE法で成長させたGaドープCdTeの電子特性

Electronic properties in Ga-doped CdTe layers grown by metaloganic vapor phase epitaxy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0028649&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0028649&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 72 号： 8 ページ： 3406-3409 発行年： 1992年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs(100)基板にDMCd(ジメチルCd)とDETe(...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0028649&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

半導体結晶の電気伝導 , 半導体薄膜

, , , , ,

前のページに戻る