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J-GLOBAL ID：200902078774710370   整理番号：87A0011587

SOI MOSFETにおける水素不動態化微粒子多結晶シリコンの漏れ電流機構

Leakage current mechanisms in hydrogen-passivated fine-grain polycrystalline silicon on insulator MOSFET’s.

著者 (2件)： MADAN S K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 33  号： 10  ページ： 1518-1528  発行年： 1986年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素不動態化微粒子多結晶シリコンに作られた薄膜SOI MOS...

シソーラス用語： SOI構造 ,...
準シソーラス用語： 寄生トランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  MOSFET ,  水素 ,  不動態化 ,  微粒子 ,  多結晶シリコン ,  漏れ電流