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J-GLOBAL ID：200902079127825847   整理番号：91A0450247

シリコン上の電子ビーム蒸着酸化イットリウム薄膜の電気的挙動

Electrical behaviour of electron-beam-evaporated yttrium oxide thin films on silicon.

著者 (3件)： SHARMA R N (National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  LAKSHMIKUMAR S T (National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  RASTOGI A C (National Physical Lab., New Delhi, IND)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 199  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 1991年04月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上に電子ビーム蒸着したY<sub>2</sub...

シソーラス用語： 電子ビーム蒸着 ,...

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分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  電子ビーム蒸着 ,  酸化イットリウム ,  薄膜 ,  挙動