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J-GLOBAL ID：200902079238267800   整理番号：86A0501334

Ge_xS_1-xひずみ入り超格子導波路型光検出器の1.3μm近傍での受光特性

Ge_xSi_1-x strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 μm.

著者 (5件)： TEMKIN H (AT&T, New Jersey) ,  PEARSALL T P (AT&T, New Jersey) ,  BEAN J C (AT&T, New Jersey) ,  LOGAN R A (AT&T, New Jersey) ,  LURYI S (AT&T, New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 48  号： 15  ページ： 963-965  発行年： 1986年04月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20層のi-Ge_xSi<sub>1-x...

シソーラス用語： 光検出器 ,...

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分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ひずみ ,  超格子 ,  導波路 ,  光検出器 ,  近傍