文献
J-GLOBAL ID：200902079860912683   整理番号：92A0217051

サファイア上シリコンおよび絶縁体上シリコンの上のベータSiCの化学蒸着

Chemical vapor deposition of β-SiC on silicon-on-sapphire and silicon-on-insulator substrates.
著者 (4件)：
PAZIK J C

PAZIK J C について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

, 
KELNER G

KELNER G について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

, 
BOTTKA N

BOTTKA N について

(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)

Naval Research Lab., Washington, D.C., USA について

, 
FREITAS J A JR

FREITAS J A JR について

(Sachs-Freeman Assoc., MD, USA)

Sachs-Freeman Assoc., MD, USA について


資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology について


巻： 11  号： 1/4  ページ： 125-129  発行年： 1992年01月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
サファイア上Si(SOS)の上に新しいSi膜を1050°Cで作...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SOS構造

SOS構造 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
プロパン

プロパン について


   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0217051&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0553A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
サファイア

サファイア について

, 
シリコン

シリコン について

, 
絶縁体

絶縁体 について

, 
SiC

SiC について

, 
化学蒸着

化学蒸着 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM