マイクロ波インピーダンス測定にもとづく半絶縁性GaAsウエハの深い準位の非破壊的評価

文献

J-GLOBAL ID：200902080671092355 整理番号：87A0136541

Nondestructive characterization of deep levels in semi-insulating GaAs wafers using microwave impedance measurement.

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巻： 25 号： 11 ページ： L874-L877 発行年： 1986年11月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

このマイクロ波DLTS法では,過渡的光励起キャリア数を温度を...

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不純物・欠陥の電子構造 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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