文献

J-GLOBAL ID：200902081035732618   整理番号：88A0067368

高周波MOS容量の効果的な数値シミュレーション

Efficient numerical simulation of the high-frequency MOS capacitance.

著者 (2件)： WATT J T (Stanford Univ., CA, USA) ,  PLUMMER J D (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 34  号： 10  ページ： 2214-2216  発行年： 1987年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小数キャリヤの再配置を考慮した高周波MOS容量の数値評価法を...

シソーラス用語： HF【周波数】 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波 ,  MOS ,  数値シミュレーション