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J-GLOBAL ID：200902081160423813   整理番号：92A0825716

Mg₂Si_1-xGe_x(x=0.0~0.4))固溶半導体の作製と熱電特性

Preparation and Thermoelectric Properties of Mg₂Si_1-xGe_x(x=0.0~0.4) Solid Solution Semiconductors.

著者 (6件)： NODA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KON H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FURUKAWA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OTSUKA N (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NISHIDA I A (National Research Inst. Metals, Tokyo, JPN) ,  MASUMOTO K (Ishinomaki Senshu Univ., Ishinomaki, JPN)
資料名： Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals)  (Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals))
巻： 33  号： 9  ページ： 845-850  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 0916-1821  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

引用文献 (29件)：

• 1) R. G. Morris, R. D. Redin and G. C. Danielson: Phys. Rev., 109 (1958), 1909.
• 2) R. J. LaBotz and D. R. Mason: J. Electrochem. Soc., 110 (1963), 121.
• 3) H. R. Shanks: J. Crystal Growth, 23 (1974), 190.
• 4) E. N. Nikitin and V. K. Zaitsev: Inorg. Mater., 2 (1966), 1698.
• 5) E. N. Nikitin, V. E. N. Tkalenko, V. K. Zaitsev, A. I. Zaslavskii and A. K. Kuznetsov: Inorg. Mater., 4 (1968), 1656.

タイトルに関連する用語 (2件)： 作製 ,  熱電特性