金属-a-Si:H Schottky障壁の容量電圧特性の理論的解釈

文献

J-GLOBAL ID：200902081276619154 整理番号：84A0126135

Theoretical interpretation of capacitance-voltage characteristics of metal-a-Si:H Schottky barriers.

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資料名：
巻： 22 号： 5 ページ： 785-788 発行年： 1983年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

水素化アモルファスシリコンSchottky障壁の容量電圧(C...

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半導体-金属接触【’81~’92】

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