電荷結合素子技術の進展 サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD

JANESICK J; ELLIOTT T; DINGIZIAN A; BREDTHAUER R; CHANDLER C; WESTPHAL J; GUNN J

文献

J-GLOBAL ID：200902081407439149 整理番号：90A0892503

電荷結合素子技術の進展サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD

New advancements in charge-coupled device technology-sub-electron noise and 4096×4096 pixel CCDs.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=90A0892503&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0892503&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0943A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 1242 ページ： 223-237 発行年： 1990年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CCD技術の2つの新しい進歩について述べ,その一つはサブエレ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0892503&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0943A") }}

電荷移送デバイス , 撮像・録画装置

, , , , , ,

前のページに戻る

電荷結合素子技術の進展 サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD

電荷結合素子技術の進展サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD