けい素中のひ素過飽和固溶体の急速熱焼鈍における欠陥

文献

J-GLOBAL ID：200902081967598803 整理番号：86A0445337

Defects in supersaturated solid solution of arsenic in silicon at rapid thermal annealing.

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資料名：
巻： 94 号： 2 ページ： 569-572 発行年： 1986年04月
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

標題固溶体分離の第1段階を,Rutherford後方散乱と電...

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半導体の格子欠陥

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