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J-GLOBAL ID：200902084300289488   整理番号：89A0141699

界面にセシウムイオンを含むMOS構造における表面移動度の特性化

Characterization of surface mobility in MOS structures containing interfacial cesium ions.

著者 (3件)： WATT J T (Stanford Univ., CA, USA) ,  FISHBEIN B J (Stanford Univ., CA, USA) ,  PLUMMER J D (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36  号： 1 Pt.1  ページ： 96-100  発行年： 1989年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面電荷によるシリコンMOSデバイスにおける反転層電子移動度...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  セシウムイオン ,  MOS構造 ,  移動度 ,  特性化