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J-GLOBAL ID：200902084463902373   整理番号：92A0316999

分子線エピタクシーにより成長させたAlドープZnTeエピ層のフォーミング

Forming of Al-doped ZnTe epilayers grown by molecular beam epitaxy.

著者 (6件)： PHILLIPS M C (California Inst. Technology, Califoria, USA) ,  SWENBERG J F (California Inst. Technology, Califoria, USA) ,  LIU Y X (California Inst. Technology, Califoria, USA) ,  WANG M W (California Inst. Technology, Califoria, USA) ,  MCCALDIN J O (California Inst. Technology, Califoria, USA) ,  MCGILL T C (California Inst. Technology, Califoria, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 117  号： 1/4  ページ： 1050-1054  発行年： 1992年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーにより成長させたAlドープZnTeエピ層に...

シソーラス用語： テルル化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： フォーミング

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分類 (1件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  Al ,  ドープ ,  ZnTe ,  エピ層 ,  フォーミング