ソーラセル用シリコンの低温表面不活性化

HEZEL R; JAEGER K

文献

J-GLOBAL ID：200902085430115887 整理番号：89A0274934

ソーラセル用シリコンの低温表面不活性化

Low-temperature surface passivation of silicon for solar cells.

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資料名：
巻： 136 号： 2 ページ： 518-523 発行年： 1989年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低温析出させた窒化けい素および酸化アルミニウム皮膜について,...

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太陽電池

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