エキシマレーザによるSi基板の窒化増強

SUGII T; ITO T; ISHIKAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902086789991050 整理番号：85A0230511

エキシマレーザによるSi基板の窒化増強

Excimer laser enhanced nitridation of silicon substrates.

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巻： 45 号： 9 ページ： 966-968 発行年： 1984年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高純度アンモニアとArFエキシマレーザ(λ=193nm)を使...

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レーザ照射・損傷 , その他の無機化合物の薄膜

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