LSIの集束イオンビームミリングの過程でのSiとAlのイオン衝撃発光の変化の機構

ITOH F; SHIMASE A; HARAICHI S; TAKAHASHI T

文献

J-GLOBAL ID：200902087436725434 整理番号：91A0950220

LSIの集束イオンビームミリングの過程でのSiとAlのイオン衝撃発光の変化の機構

Mechanism of ion impact photoemission change of Si and Al during focused ion beam milling of LSI.

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資料名：
巻： 9 号： 5 ページ： 2692-2698 発行年： 1991年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記イオン衝撃発光について種々測定場所を変えて観察し,また切...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 電子ビーム・イオンビームの応用 , 半導体集積回路

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