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J-GLOBAL ID：200902088214979604   整理番号：91A0199459

トレンチゲート-チャネル絶縁をもつ一次元横電界効果トランジスタ

One-dimensional lateral-field-effect transistor with trench gate-channel insulation.

著者 (7件)： NIEDER J (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  WIECK A D (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  GRAMBOW P (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  LAGE H (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  HEITMANN D (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  KLITZING K V (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  PLOOG K (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 57  号： 25  ページ： 2695-2697  発行年： 1990年12月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調ドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造の二次元電子系から...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トレンチゲート ,  チャネル ,  絶縁 ,  電界効果トランジスタ