文献
J-GLOBAL ID：200902088596873037   整理番号：92A0271557

完全に空乏化したsilicon-on-insulator・MOSFETの相互コンダクタンスに対する直列抵抗と界面結合の影響

Influence of series resistances and interface coupling on the transconductance of fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs.
著者 (3件)：
OUISSE T

OUISSE T について

(Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA)

Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA について

, 
CRISTOLOVEANU S

CRISTOLOVEANU S について

(ENSERG, Grenoble, FRA)

ENSERG, Grenoble, FRA について

, 
BOREL G

BOREL G について

(Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA)

Thomson-TMS, Saint-Egr<span style=text-decoration:overline>e`</span>ve, FRA について


資料名：
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electronics について


巻： 35  号： 2  ページ： 141-149  発行年： 1992年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
完全空乏化SOI MOSFETの相互コンダクタンスg<sub...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
MOSFET

MOSFET について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0271557&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0225A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
MOSFET

MOSFET について

, 
相互コンダクタンス

相互コンダクタンス について

, 
直列抵抗

直列抵抗 について

, 
界面

界面 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM