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J-GLOBAL ID：200902088963323553   整理番号：86A0485148

低温反応性rfスパッタリングにより成長したAlN薄膜の特性

On the properties of AlN thin films grown by low temperature reactive r.f. sputtering.

著者 (8件)： LI X (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  XU Z (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  HE Z (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  CAO H (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  SU W (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  CHEN Z (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  ZHOU F (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN) ,  WANG E (Huazhong Univ. Science and Technology, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 139  号： 3  ページ： 261-274  発行年： 1986年06月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記c軸配向したAlN薄膜の成長および種々の方法による分析結...

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温反応 ,  RFスパッタリング ,  成長 ,  AlN ,  薄膜