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J-GLOBAL ID：200902089575185951   整理番号：88A0449809

マイグレーション・エンハンスト・エピタキシによるSi(100)面上へのGaAsの成長

Strain-released heteroepitaxy of GaAs on (100)Si by migration enhanced epitaxy.

著者 (4件)： STOLZ W (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN) ,  HORIKOSHI Y (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN) ,  NAGANUMA M (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN) ,  NOZAWA K (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 88  号： 62  ページ： 1-8(CPM88-1)  発行年： 1988年05月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長初期の条件がGaAs結晶の構造及び光学的性質に及ぼす効果...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイグレーション・エンハンスト・エピタキシ ,  Si ,  GaAs ,  成長