文献

J-GLOBAL ID：200902089760540989   整理番号：87A0330554

真性直列抵抗のMOSFETのスケーリングへの影響

The impact of intrinsic series resistance on MOSFET scaling.

著者 (2件)： NG K K (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  LYNCH W T (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 34  号： 3  ページ： 503-511  発行年： 1987年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現実のMOSFET構造の真性渦流直列抵抗を調べた。そしてチャ...

シソーラス用語： MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0330554&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 直列抵抗 ,  MOSFET ,  スケーリング