文献

J-GLOBAL ID：200902090006830634   整理番号：88A0089996

低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長

Step-controlled VPE growth of SiC single crystals at low temperatures.

著者 (5件)： KURODA N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SHIBAHARA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOO W (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHINO S (Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987  (Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987)
ページ： 227-230  発行年： 1987年 
JST資料番号： K19870562  ISBN： 4-930813-21-2  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂-SiH₄-...

シソーラス用語： 気相成長 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0089996&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19870562") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  SiC ,  単結晶 ,  VPE成長