文献
J-GLOBAL ID：200902090521538210   整理番号：90A0686607

半導体プロセス用プラズマの特性と制御

Characteristics and control of plasmas for processing of semiconductors.
著者 (1件)：
板谷良平

板谷良平 について

(京大 工)

京大 工 について


資料名：
応用物理  (JSAP International)

応用物理 について


巻： 59  号： 7  ページ： 912-916  発行年： 1990年07月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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高周波放電

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分類 (1件)：
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プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

引用文献 (25件)：
  • 1) 板谷良平:電気学会雑誌 110 (1990) 167.
  • 2) N. Itabashi, K. Kato, N. Nishiwaki, T. Goto, C. Yamada and E. Hirota: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 1565.
  • 3) N. Itabashi, K. Kato, N. Nishiwaki, T. Goto, C. Yamada and E. Hirota: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L 325.
  • 4) N. Itabashi, N. Nishiwaki, M. Magane, T. Goto, A. Matsuda, C. Yamada and E. Hirota: Proc. 7th Symp. Plasma Processing, Tokyo, 1990, p. 185.
  • 5) T. Mukai, K. Tachibana and H. Harima: Proc. 7th Symp. Plasma Processing, Tokyo, 1990, p. 201.
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