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J-GLOBAL ID：200902091970111988   整理番号：88A0037061

アルカリ金属によるシリコンの窒化の電子的促進

Electronic promotion of silicon nitridation by alkali metals.

著者 (6件)： SOUKIASSIAN P (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  BAKSHI M H (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  STARNBERG H I (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  HURYCH Z (Northern Illinois Univ., IL, USA) ,  GENTLE T M (Dow Corning Corp., MI, USA) ,  SCHUETTE K P (Dow Corning Corp., MI, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 59  号： 13  ページ： 1488-1491  発行年： 1987年09月28日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Naの単原子層で修飾したSi(100)-2×1表面を,シンク...

シソーラス用語： ナトリウム ,...
準シソーラス用語： 価電子帯

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルカリ金属 ,  シリコン ,  窒化 ,  電子 ,  促進