n型β-SiCのレーザ促進光電気化学エッチング

SHOR J S; ZHANG X G; OSGOOD R M

文献

J-GLOBAL ID：200902092088257107 整理番号：92A0369324

n型β-SiCのレーザ促進光電気化学エッチング

Laser-Assisted Photoelectrochemical Etching of n-type Beta-SiC.

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巻： 139 号： 4 ページ： 1213-1216 発行年： 1992年04月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

β-SiCに対するレーザで促進した,非熱的な光電気化学エッチ...

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固体デバイス製造技術一般

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