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J-GLOBAL ID：200902092314313449   整理番号：88A0094055

非晶質シリコン薄膜トランジスタにおける不安定機構のバイアス依存性

Bias dependence of instability mechanisms in amorphous silicon thin-film transistors.

著者 (4件)： POWELL M J (Philips Research Lab., Surrey, GBR) ,  VAN BERKEL C (Philips Research Lab., Surrey, GBR) ,  FRENCH I D (Philips Research Lab., Surrey, GBR) ,  NICHOLLS D H (Philips Research Lab., Surrey, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 51  号： 16  ページ： 1242-1244  発行年： 1987年10月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化膜の成分を種々変えた非晶質シリコン-シリコン窒化膜薄膜ト...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非晶質シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  バイアス依存性