文献

J-GLOBAL ID：200902092509749292   整理番号：89A0169316

完全空乏化SOI MOSFETの短チャネル効果

Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFET’s.

著者 (1件)： YOUNG K K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36  号： 2  ページ： 399-402  発行年： 1989年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全空乏化シリコン・オン・インシュレータ(SOI)MOSFE...

シソーラス用語： SOI構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  MOSFET ,  短チャネル効果