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J-GLOBAL ID：200902092788424110   整理番号：84A0081169

n-GaPでの電荷キャリア密度と移動度のRaman分光による決定

Determination of the charge carrier concentration and mobility in n-GaP by Raman spectroscopy.

著者 (4件)： IRMER G (Bergakademie Freiberg, DDR) ,  TOPOROV V V (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst. Academy of Sciences of the USSR) ,  BAIRAMOV B H (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst. Academy of Sciences of the USSR) ,  MONECKE J (Bergakademie Freiberg, DDR)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 119  号： 2  ページ： 595-603  発行年： 1983年10月 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaPでのプラズモン-フォノンモードのRaman散乱効率に及...

シソーラス用語： N型半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (5件)： GAP ,  電荷 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  Raman分光