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J-GLOBAL ID：200902093262803279   整理番号：90A0548793

空気中で操作した走査トンネル顕微鏡による水素でパシベートしたシリコンの改質

Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air.

著者 (6件)： DAGATA J A (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  SCHNEIR J (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  HARARY H H (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  EVANS C J (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  POSTEK M T (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  BENNETT J (National Inst. Standards and Technology, Maryland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 20  ページ： 2001-2003  発行年： 1990年05月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気中で走査トンネル顕微鏡(STM)で走査したことによって,...

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察 ,...
準シソーラス用語： STM

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空気中 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  水素 ,  パシベート ,  シリコン ,  改質